一系列 NXP BISS(小信號的重大突破)低飽和電壓 NPN 雙極接線晶體管。 這些設備具有極低集電極-發(fā)射極飽和電壓和高集電極電流容量,采用緊湊的空間節(jié)省型封裝。 這些晶體管減少損失,可在用于切換和數(shù)字應用時減少熱量的產(chǎn)生并整體提高效率。
屬性 | 數(shù)值 |
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晶體管類型 | NPN |
最大直流集電極電流 | 4 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 80 V |
封裝類型 | UPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 2.5 W |
最小直流電流增益 | 250 |
晶體管配置 | 單 |
最大集電極-基極電壓 | 80 V |
最大發(fā)射極-基極電壓 | 5 V |
最大工作頻率 | 150 MHz |
引腳數(shù)目 | 4 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |