絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
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最大連續(xù)集電極電流 | 40 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1800 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±25V |
最大功率耗散 | 375 W |
封裝類型 | TO-3P |
安裝類型 | 通孔 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 3 |
開關(guān)速度 | 1.8MHz |
晶體管配置 | 單 |
尺寸 | 15.5 x 4.5 x 20mm |