當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):SSM3K329R 品牌:東芝_Toshiba
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
1.8 V 驅(qū)動(dòng)
低接通電阻:RDS(接通)= 289 m?(最大值)(@VGS = 1.8 V)
RDS(接通)= 170 m?(最大值)(@VGS = 2.5 V)
RDS(接通)= 126 m?(最大值)(@VGS = 4.0 V)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.5 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類(lèi)型 | SOT-23F |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 289 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.4V |
最大功率耗散 | 2 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±12 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
典型柵極電荷@Vgs | 1.5 nC @ 4 V |
長(zhǎng)度 | 2.9mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 1.8mm |