Toshiba TK099V65Z,LQ(S MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關電源。
低漏 - 源導通電阻 0.08 ?
存儲溫度 -55 至 150°c
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
30 A |
最大漏源電壓 |
650 V |
封裝類型 |
DFN8x8 |
引腳數(shù)目 |
5 |
最大漏源電阻值 |
0.09. Ω |
通道模式 |
增強 |
最大柵閾值電壓 |
4V |
每片芯片元件數(shù)目 |
1 |
晶體管材料 |
硅 |