Toshiba SSM3J356R,LF(T MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
Toshiba 場效應(yīng)晶體管由硅材料制成,具有 P 溝道 MOS 型。它主要用于電源管理切換應(yīng)用。
存儲溫度范圍 ?55 至 150 °C
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
P |
最大連續(xù)漏極電流 |
2 A |
最大漏源電壓 |
60 V |
封裝類型 |
SOT-23F |
安裝類型 |
表面貼裝 |
引腳數(shù)目 |
3 |
最大漏源電阻值 |
4e+008 Ω |
最大柵閾值電壓 |
2V |
每片芯片元件數(shù)目 |
1 |
晶體管材料 |
硅 |