Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速開關(guān)特性。它主要用于高效直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器和電動機驅(qū)動器。
低漏 - 源導通電阻 1.0 m ?
存儲溫度 -55°c 至 175 ° c
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | SOP |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 2.3. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |