屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 9.7 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-220SIS |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 380 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.7V |
最大功率耗散 | 30 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 4.5mm |
典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
長度 | 10mm |