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Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數校正)、直流-直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術,Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。